1. Littérature générale
  2. Essais littéraires

EAN13
9783841783134
Éditeur
Univ Européenne
Date de publication
28 novembre 2011
Collection
OMN.UNIV.EUROP.
Nombre de pages
200
Dimensions
22 x 15 x 1,2 cm
Poids
302 g
Langue
fre

Contribution À La Modélisation Électrothermique, Elaboration D'Un Modèle Électrique Thermosensible Du Transistor Mos De Puissance

Hussein Dia

Univ Européenne

Prix public : 59,00 €

Dans ce mémoire de thèse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomènes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modèle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Une attention particulière a été accordée à l'étude des phénomènes parasites qui pourraient survenir de manière très localisée suite à une répartition inhomogène de la température et à l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modèle pour les régimes extrêmes ont été utilisés en prenant des précautions liées à la haute température. Enfin, Le modèle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société Epsilon ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.
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