1. Littérature générale
  2. Essais littéraires

EAN13
9786131504327
Éditeur
Univ Européenne
Date de publication
1 décembre 2011
Collection
OMN.UNIV.EUROP.
Nombre de pages
176
Dimensions
22 x 15 cm
Poids
268 g
Langue
fre

Conception Et Réalisation De Transistors À Effet De Champ À 94 Ghz, Transistors Sur Substrat Inp Pour Amplification De Puissance En Bande W

Farid Medjdoub

Univ Européenne

Prix public : 59,00 €

L'objectif de ce travail est la conception et la réalisation de transistors à effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d'étudier les potentialités en puissance de différents TEC dans la filière InP à 94 GHz. La montée en fréquence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurément défavorable à une bonne tenue en tension. Notre défi était de tenter d'élaborer des transistors capables de fonctionner à cette fréquence et possédant une tension de claquage élevée. Une structure à canal InAsP délivrant une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance à 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.
Trouver ou

Offres