EAN13
9786131597275
Éditeur
Univ Européenne
Date de publication
19 octobre 2011
Collection
OMN.UNIV.EUROP.
Nombre de pages
160
Dimensions
22 x 15 cm
Poids
245 g
Langue
fre

Elaboration Des Nitrures De Gallium Avec Traitement Si/N, Application Aux Diodes Electroluminescentes

Zohra Benzarti

Univ Européenne

Prix public : 49,00 €

Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
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